THE ADVANCEMENT OF SEMICONDUCTOR STRAIN GAUGES.
##plugins.themes.bootstrap3.article.main##
Annotatsiya
The use of semiconductor strain gauges necessitates the adjustment of
resistance variations caused by temperature changes. These variations manifest as
apparent strain at the output of the strain gauge.
##plugins.themes.bootstrap3.article.details##
Foydalaniladigan adabiyotlar
. Semiconductor Devices in Measuring Technology, Collected Articles, Energia Publishing
House, Moscow, 1990. , 1990.
М.М.Собиров, Ж.Ю.Розиков. “Некоторые вопросы теории переноса поляризованного
излучения в изотропной среде с конечной оптической толщиной”, Научно-технический
журнал, Ферганский ПИ, 24, 4, 2020.стр.15/24
. М.М.Собиров, Ж.Ю.Розиков. Особенность в поляризации диффузно отраженного и
пропущенного излучения в среде с конечной оптической толщиной. Научнотехнический
журнал, Ферганский ПИ, 24, 5, 2020. стр.85-89.
. M.M Sobirov, J.Y Rozikov, V.U Ruziboyev. Formation of Neutral Points in the Polarization
Characteristics of Secondary Radiation in the Semi-Infinite Medium Model. International Journal
Of Multidisciplinary Research And Analysis. DOI: 10.47191/ijmra/v4-i4-07