THE ADVANCEMENT OF SEMICONDUCTOR STRAIN GAUGES.

##plugins.themes.bootstrap3.article.main##

E.Бeнасси
J.Yu.Roziqov

Annotatsiya

The use of semiconductor strain gauges necessitates the adjustment of
resistance variations caused by temperature changes. These variations manifest as
apparent strain at the output of the strain gauge.

##plugins.themes.bootstrap3.article.details##

Bo‘lim
Fizika

Foydalaniladigan adabiyotlar

. Semiconductor Devices in Measuring Technology, Collected Articles, Energia Publishing

House, Moscow, 1990. , 1990.

М.М.Собиров, Ж.Ю.Розиков. “Некоторые вопросы теории переноса поляризованного

излучения в изотропной среде с конечной оптической толщиной”, Научно-технический

журнал, Ферганский ПИ, 24, 4, 2020.стр.15/24

. М.М.Собиров, Ж.Ю.Розиков. Особенность в поляризации диффузно отраженного и

пропущенного излучения в среде с конечной оптической толщиной. Научнотехнический

журнал, Ферганский ПИ, 24, 5, 2020. стр.85-89.

. M.M Sobirov, J.Y Rozikov, V.U Ruziboyev. Formation of Neutral Points in the Polarization

Characteristics of Secondary Radiation in the Semi-Infinite Medium Model. International Journal

Of Multidisciplinary Research And Analysis. DOI: 10.47191/ijmra/v4-i4-07