THE ADVANCEMENT OF SEMICONDUCTOR STRAIN GAUGES.

Боковая панель статьи

PDF (English)
Опубликован: июн. 20, 2024
Ключевые слова:
E represents Young's modulus, represents Poisson's ratio, and represents the longitudinal coefficient of piezoelectric sensitivity.

Основное содержимое статьи

E.Бeнасси
J.Yu.Roziqov

Аннотация

The use of semiconductor strain gauges necessitates the adjustment of
resistance variations caused by temperature changes. These variations manifest as
apparent strain at the output of the strain gauge.

Информация о статье

Как цитировать
E.Бeнасси, & J.Yu.Roziqov. (2024). THE ADVANCEMENT OF SEMICONDUCTOR STRAIN GAUGES . Конференция Ферганского государственного университета, 7–9. извлечено от https://conf.fdu.uz/index.php/conf/article/view/3087
Выпуск
2024: Тенденции развития физики конденсированных сред
Раздел
Физика

Библиографические ссылки

. Semiconductor Devices in Measuring Technology, Collected Articles, Energia Publishing

House, Moscow, 1990. , 1990.

М.М.Собиров, Ж.Ю.Розиков. “Некоторые вопросы теории переноса поляризованного

излучения в изотропной среде с конечной оптической толщиной”, Научно-технический

журнал, Ферганский ПИ, 24, 4, 2020.стр.15/24

. М.М.Собиров, Ж.Ю.Розиков. Особенность в поляризации диффузно отраженного и

пропущенного излучения в среде с конечной оптической толщиной. Научнотехнический

журнал, Ферганский ПИ, 24, 5, 2020. стр.85-89.

. M.M Sobirov, J.Y Rozikov, V.U Ruziboyev. Formation of Neutral Points in the Polarization

Characteristics of Secondary Radiation in the Semi-Infinite Medium Model. International Journal

Of Multidisciplinary Research And Analysis. DOI: 10.47191/ijmra/v4-i4-07