THE ADVANCEMENT OF SEMICONDUCTOR STRAIN GAUGES.
Main Article Content
Abstract
The use of semiconductor strain gauges necessitates the adjustment of
resistance variations caused by temperature changes. These variations manifest as
apparent strain at the output of the strain gauge.
Article Details
References
. Semiconductor Devices in Measuring Technology, Collected Articles, Energia Publishing
House, Moscow, 1990. , 1990.
М.М.Собиров, Ж.Ю.Розиков. “Некоторые вопросы теории переноса поляризованного
излучения в изотропной среде с конечной оптической толщиной”, Научно-технический
журнал, Ферганский ПИ, 24, 4, 2020.стр.15/24
. М.М.Собиров, Ж.Ю.Розиков. Особенность в поляризации диффузно отраженного и
пропущенного излучения в среде с конечной оптической толщиной. Научнотехнический
журнал, Ферганский ПИ, 24, 5, 2020. стр.85-89.
. M.M Sobirov, J.Y Rozikov, V.U Ruziboyev. Formation of Neutral Points in the Polarization
Characteristics of Secondary Radiation in the Semi-Infinite Medium Model. International Journal
Of Multidisciplinary Research And Analysis. DOI: 10.47191/ijmra/v4-i4-07