ИССЛЕДОВАНИЯ СВОЙСТВ ПЕРЕХОДНОГО СЛОЯ Si-SiO2 В КРЕМНИЕВЫХ МДП-СТРУКТУРАХ

##plugins.themes.bootstrap3.article.sidebar##

PDF (Русский)
Nashr qilingan: noy 11, 2023
Kalit so‘zlar:
МДП-структуры, Емкостная спектроскопия, Переходный слой, Дефекты, Распределение свободных связей.

##plugins.themes.bootstrap3.article.main##

Далиев Х.С.

Annotatsiya

В состоянии исследования MDP-структуры, важные для интегральных схем и оптоэлектроники. С применением СС-ДЛЦ исследование свойств переходного слоя в системе металл-полупроводник-диэлектрик. Выявлены максимумы на Spectax, связанные с дефектами выходного терна. Показано влияние степени окисления и облучения на характерный пик, что подтверждает модель пространственного распределения свободных соединений в слое.

##plugins.themes.bootstrap3.article.details##

Qanday qilib iqtibos keltirish kerak
Далиев Х.С. (2023). ИССЛЕДОВАНИЯ СВОЙСТВ ПЕРЕХОДНОГО СЛОЯ Si-SiO2 В КРЕМНИЕВЫХ МДП-СТРУКТУРАХ. Farg’ona Davlat Universiteti Konferensiyalari, 60. Retrieved from https://conf.fdu.uz/index.php/conf/article/view/2494
Maqola
2023: Kondensatsiyalangan moddalar fizikasining rivojlanish tendentsiyalari
Bo‘lim
Fizika

Foydalaniladigan adabiyotlar

Мортина Т.Н., Мортин К.В., 2022 Научно-образовательный журнал для студентов и преподавателей «StudNet» №6/2022.с. 5348-5356

Petin V.A. "New features of Arduino, ESP, Raspberry Pi in IoT projects" BHVPetersburg, 2022, 320 p.

Yatsenkov V. S. "Health, sport and the environment in Arduino projects" BHVPetersburg, 2020, 336 p

Башкатов А.С., Мещерова Д.Н. Основные тенденции развития оптоэлектронной техники до 2030 года // Тезисы докладов Российской конференции и школы молодых ученых по актуальным проблемам полупроводниковой фотоэлектроники «Фотоника-2019». 2019. doi: 10.34077/rcsp2019-25. С.25-26.