ИССЛЕДОВАНИЯ СВОЙСТВ ПЕРЕХОДНОГО СЛОЯ Si-SiO2 В КРЕМНИЕВЫХ МДП-СТРУКТУРАХ

Боковая панель статьи

PDF
Опубликован: noy 11, 2023
Ключевые слова:
МДП-структуры, Емкостная спектроскопия, Переходный слой, Дефекты, Распределение свободных связей.

Основное содержимое статьи

Далиев Х.С.

Аннотация

В состоянии исследования MDP-структуры, важные для интегральных схем и оптоэлектроники. С применением СС-ДЛЦ исследование свойств переходного слоя в системе металл-полупроводник-диэлектрик. Выявлены максимумы на Spectax, связанные с дефектами выходного терна. Показано влияние степени окисления и облучения на характерный пик, что подтверждает модель пространственного распределения свободных соединений в слое.

Информация о статье

Как цитировать
Далиев Х.С. (2023). ИССЛЕДОВАНИЯ СВОЙСТВ ПЕРЕХОДНОГО СЛОЯ Si-SiO2 В КРЕМНИЕВЫХ МДП-СТРУКТУРАХ. Конференция Ферганского государственного университета, 60. извлечено от https://conf.fdu.uz/index.php/conf/article/view/2494
Выпуск
2023: Тенденции развития физики конденсированных сред
Раздел
Физика

Библиографические ссылки

Мортина Т.Н., Мортин К.В., 2022 Научно-образовательный журнал для студентов и преподавателей «StudNet» №6/2022.с. 5348-5356

Petin V.A. "New features of Arduino, ESP, Raspberry Pi in IoT projects" BHVPetersburg, 2022, 320 p.

Yatsenkov V. S. "Health, sport and the environment in Arduino projects" BHVPetersburg, 2020, 336 p

Башкатов А.С., Мещерова Д.Н. Основные тенденции развития оптоэлектронной техники до 2030 года // Тезисы докладов Российской конференции и школы молодых ученых по актуальным проблемам полупроводниковой фотоэлектроники «Фотоника-2019». 2019. doi: 10.34077/rcsp2019-25. С.25-26.