ТЕМИР АТОМИ БИЛАН ЛЕГИРЛАНГАН КРЕМНИЙНИНГМОРФОЛОГИК ТУЗИЛИШИ
##plugins.themes.bootstrap3.article.main##
Annotatsiya
Бугунги кунда маълумки, яримўтказгич кремнийни ўтувчи элементлар билан легирлаш жараёни асосидаги яратилган микроэлектроникага мансуб асбобларнинг ишчи параметрларига катта таъсири кенг ўрганилмокда[1-2].
##plugins.themes.bootstrap3.article.details##
Foydalaniladigan adabiyotlar
Khojakbar S. Daliev «The Energy Spectrum of Defects in Silicon, Doped with Vanadium» // World Journal of Research and Review (WJRR) ISSN:2455-3956, Volume-5, Issue-2, 2017. рр 54-56
Z.M. Xusanov Temperature dependence of vanadium diffusion in silicon // Х Международная научная конференция «Актуальные проблемы физики твердого тела» Минск Беларусь 2023. с.120
Х.С. Далиев, Ш.Б. Утамурадова, З.М. Хусанов Изучение температурных свойств структур кремния легированного примесными атомами ванадия // Россия., журнал “Приборы” ПРИБОРЫ. 2023. № 2 (272), ст. 25-28
X.S. Daliyev,Z.M. Xusanov, Y.A.Abdug‘aniyev. Kremniyga temir kirishma atomlarini diffuziya jarayonida taqsimotini hisoblash dasturi. // Elektron xisoblash mashinalari uchun yaratilgan dasturning rasmiy ro’xatdan o’tkazilganligi to’g’risidagi GUVOHNOMA. O’zbekiston respublikasi adliya vazirligi. 2022, № DGU 18121.