ТЕМИР АТОМИ БИЛАН ЛЕГИРЛАНГАН КРЕМНИЙНИНГМОРФОЛОГИК ТУЗИЛИШИ
Article Sidebar
Main Article Content
Abstract
Бугунги кунда маълумки, яримўтказгич кремнийни ўтувчи элементлар билан легирлаш жараёни асосидаги яратилган микроэлектроникага мансуб асбобларнинг ишчи параметрларига катта таъсири кенг ўрганилмокда[1-2].
Article Details
References
Khojakbar S. Daliev «The Energy Spectrum of Defects in Silicon, Doped with Vanadium» // World Journal of Research and Review (WJRR) ISSN:2455-3956, Volume-5, Issue-2, 2017. рр 54-56
Z.M. Xusanov Temperature dependence of vanadium diffusion in silicon // Х Международная научная конференция «Актуальные проблемы физики твердого тела» Минск Беларусь 2023. с.120
Х.С. Далиев, Ш.Б. Утамурадова, З.М. Хусанов Изучение температурных свойств структур кремния легированного примесными атомами ванадия // Россия., журнал “Приборы” ПРИБОРЫ. 2023. № 2 (272), ст. 25-28
X.S. Daliyev,Z.M. Xusanov, Y.A.Abdug‘aniyev. Kremniyga temir kirishma atomlarini diffuziya jarayonida taqsimotini hisoblash dasturi. // Elektron xisoblash mashinalari uchun yaratilgan dasturning rasmiy ro’xatdan o’tkazilganligi to’g’risidagi GUVOHNOMA. O’zbekiston respublikasi adliya vazirligi. 2022, № DGU 18121.