ФИЗИЧЕСКИЕ ПРОЦЕССЫ, ПРОИСХОДЯЩИЕ В ТОЛСТЫХ И ТОНКИХ СЛОЯХ PbTe ПРИ ВЗАИМОДЕЙСТВИИ С КИСЛОРОДОМ
Основное содержимое статьи
Аннотация
Исследование взаимодействия пленок халькогенидов свинца с кислородом проведено с целью понимания влияния этого процесса на физические и химические свойства материала. Работа обозревает ключевые аспекты данного взаимодействия, такие как эффекты термообработки в кислородосодержащей среде и необходимость нейтрализации отрицательного влияния кислорода на термоэлементы. Процесс начинается с адсорбции кислорода на поверхности пленок, что ведет к формированию акцепторного уровня в запрещенной зоне и изменению свойств материала. Текст также рассматривает различные аспекты этого взаимодействия, включая образование физических и химических комплексов на поверхности пленок в зависимости от температуры взаимодействия и влияние водяных паров на химические реакции. Экспериментальные данные показывают, что энергия адсорбции и десорбции кислорода зависит от степени покрытия поверхности пленок. Исследователи также предполагают различные механизмы адсорбции кислорода на поверхности пленок. Особое внимание уделено методам исследования взаимодействия кислорода с пленками и их применимости для понимания изменений физических свойств материала.
Информация о статье
Библиографические ссылки
Боде Д.Е. Детекторы на основе солей свинца. В физика тонких плёнок: Т. 3 : Мир,1968. с. 299-327.
Фреик В.М. Солоничный Я.В,Масляк Н.Т.Войткив В.В. Влияние температурной обработки на свойства плёнок теллурида свинца. Физическая электроника. Научно – тех сб. 1977. В14 с 61-64.
Азимов.С.А., Атакулов. Ш.Б., Кинетические явления в поликристаллических плёнках халъкогенидов свинца и висмута. Ташкент. Фан. 1985. 104с.
Zemal J.N., Jensen I.D., Schoolar R.B. Electrical and Optical Properties of Epitaxial Films of Pb and SbTe. // Phys.Rev. 1965.V.140.N 1A. B 330-342.
Бойков Ю.А., Кутасов В.А. Влияние приграничных слоев на электрочиские свойства плёнок теллурида свинца. // ФТТ.1983т.25.Вып .10.с.2984-2987.
Bourgeois P.C., Moch Ph. Musures de Resistivite et Deffect Hall sur des Couches Minces de PbTe Realisees Par Evoparation Surs Vide Surdes des Substates Amorphes on Orientes. // C.r. Acad. Sci.1967.V.265.N 1.P.74-75.
Риссел Х., Руге И. Ионная имплантация. M: Мир, 1977.340c.
Palmetschofer L.Ion Imрlantation in IV-VI Semiconductors. // Appl.Phys. 1984. A34.B.139-153. 9.Аброян И.А., Алиев Б.З., Имамкулов С.Д. и др. Имлантация ионов галлия в плёнки PbSe. // ФТТ.1983. Т.17. Вып.4.С.611-613.