Долговременная релаксация поверхностного потенциала в гетероструктуре p-CdTe-SiO2-Si-Al

Main Article Content

Камолиддинов Н.С.
Алимов Н.Э.
Рибчановский А.М.

Abstract

В данной работе рассматривается спектральная фоточувствительность гетероструктуры p-CdTe-SiO2-Si, а также влиянии внешнего электрического поля на остаточную проводимость. При наличии ассиметричных микропотенциальных барьеров и глубоких центров в CdTe, спектральная фоточувствительность сохраняет остаточный характер даже после прекращения воздействия внешнего поля. Для возвращения фоточувствительности к первоначальным значениям необходимо подавать импульс обратного напряжения.

Article Details

How to Cite
Камолиддинов Н.С., Алимов Н.Э., & Рибчановский А.М. (2024). Долговременная релаксация поверхностного потенциала в гетероструктуре p-CdTe-SiO2-Si-Al. Fergana State University Conference. Retrieved from https://conf.fdu.uz/index.php/conf/article/view/3223
Section
Physic

References

Шейнкман М.К., Шик А.Я.//ФТП, – 1976. – № 10. – С. 209.

Отажонов С.М., Алимов Н.Э., Акбаров К., Абдуллаев Қ., Дадажонова Х., Отажонова Д., Рахмонқулов М. Оптическая спектральная память в пленочной гетероструктуре р-CdTe-SiO2-Si// Физическая Инженерия Поверхности. 2009 том 7. №1-2. С. 96-98

Отажонов С.М., Алимов Н.Э., Ботиров К.А. Оптическая спектральная память в пленочной ультракристаллической гетероструктуре p-CdTe-SiO2-Si//Научно-Технический журнал ФерПИ. 2018. Том 22. №2. С.113-116