Долговременная релаксация поверхностного потенциала в гетероструктуре p-CdTe-SiO2-Si-Al

##plugins.themes.bootstrap3.article.sidebar##

PDF (Русский)
Nashr qilingan: iyn 20, 2024
Kalit so‘zlar:
релаксация, остаточная проводимость, рекомбинационные барьеры, спектральную фоточувствительность.

##plugins.themes.bootstrap3.article.main##

Камолиддинов Н.С.
Алимов Н.Э.
Рибчановский А.М.

Annotatsiya

В данной работе рассматривается спектральная фоточувствительность гетероструктуры p-CdTe-SiO2-Si, а также влиянии внешнего электрического поля на остаточную проводимость. При наличии ассиметричных микропотенциальных барьеров и глубоких центров в CdTe, спектральная фоточувствительность сохраняет остаточный характер даже после прекращения воздействия внешнего поля. Для возвращения фоточувствительности к первоначальным значениям необходимо подавать импульс обратного напряжения.

##plugins.themes.bootstrap3.article.details##

Qanday qilib iqtibos keltirish kerak
Камолиддинов Н.С., Алимов Н.Э., & Рибчановский А.М. (2024). Долговременная релаксация поверхностного потенциала в гетероструктуре p-CdTe-SiO2-Si-Al. Farg’ona Davlat Universiteti Konferensiyalari. Retrieved from https://conf.fdu.uz/index.php/conf/article/view/3223
Maqola
2024: Kondensatsiyalangan moddalar fizikasining rivojlanish tendentsiyalari
Bo‘lim
Fizika

Foydalaniladigan adabiyotlar

Шейнкман М.К., Шик А.Я.//ФТП, – 1976. – № 10. – С. 209.

Отажонов С.М., Алимов Н.Э., Акбаров К., Абдуллаев Қ., Дадажонова Х., Отажонова Д., Рахмонқулов М. Оптическая спектральная память в пленочной гетероструктуре р-CdTe-SiO2-Si// Физическая Инженерия Поверхности. 2009 том 7. №1-2. С. 96-98

Отажонов С.М., Алимов Н.Э., Ботиров К.А. Оптическая спектральная память в пленочной ультракристаллической гетероструктуре p-CdTe-SiO2-Si//Научно-Технический журнал ФерПИ. 2018. Том 22. №2. С.113-116