ЭЛЕКТРОНЛАР БИЛАН НУРЛАНТИРИЛГАН ЛЕГИРЛАНГАН КРЕМНИЙГА ТАЪСИРИНИ ТАДҚИҚ ҚИЛИШ

Боковая панель статьи

PDF (O'zbekcha)
Опубликован: noy 3, 2023

Основное содержимое статьи

Ш.А. Махмудов
А.А. Сулаймонов
А.К. Рафиков
С.Р. Эгамов

Аннотация

Электрониканинг асосий материали кремнийни легирлашда киритилаётган аралашма турига (донор, акцептор ёки амфотер) қараб, легирланган кристаллнинг параметрлари ва хусусиятлари ўзгаради, бу эса унинг фотосезгирлиги, термосезгирлиги, деформацияга сезувчанлиги ва радиацияга бардошлилиги каби муҳим хусусиятларнинг ривожланишига олиб келади [1-7]. Яримўтказгичларни электронлар оқимида нурлантириш, бошқа юқори энергияли заррачаларнинг таъсиридан фарқли ўлароқ, кристалл панжаранинг кам даражада бузилиши ва қаттиқ модданинг кимёвий таркибининг ўзгармаслиги билан тавсифланади.

Информация о статье

Как цитировать
Ш.А. Махмудов, А.А. Сулаймонов, А.К. Рафиков, & С.Р. Эгамов. (2023). ЭЛЕКТРОНЛАР БИЛАН НУРЛАНТИРИЛГАН ЛЕГИРЛАНГАН КРЕМНИЙГА ТАЪСИРИНИ ТАДҚИҚ ҚИЛИШ. Конференция Ферганского государственного университета, 08. извлечено от https://conf.fdu.uz/index.php/conf/article/view/2309
Выпуск
2023: Тенденции развития физики конденсированных сред
Раздел
Физика

Библиографические ссылки

M. Yu. Tashmetov, Sh. A. Makhmudov, A. A. Sulaymonov, A. K. Rafikov, B. Zh. Abdurayimov. Photosensors Based on Neutron Doped Silicon // ISSN 0003-701X, Applied Solar Energy, 2019, Vol. 55, No. 1, pp. 71–73.

Vinetskij, V.L. and Kholodar, G.A. (1979) Radiation Physics of Semiconductors. “Naukova Dumka” Edition, Kiev, 333 p. (In Russian).

Karimov M. and oth.. Peculiarities of influence of radiation defects on photoconductivity of silicon irradiated by fast neutrons. (Applied Solar Energy, Allerton Press, Inc., 2010) vol. 46 (4), pp. 298-300.

Sh Makhmudov, A Sulaymonov, A Rafikov, G Xudayberganova. Study of after diffusion regions in highly doped silicon // International scientific journal Science and Innovation, ISSN: 2181-3337, V-1, №6, October 9, 2022, - Pp. -402-404.

Каримов М., Махкамов Ш., Турсунов Н., Махмудов Ш.А., Сулаймонов А.А. Влияние быстрых нейтронов на электрофизические свойства ядерно-легированного кремния p-типа» // Известия вузов, Физика. – Томск. 2011. –Вып. 5 – С. 75-78.

Sh.A. Makhkamov, M.Yu. Tashmetov, Sh.A. Makhmudov, A.K. Rafikov, A.A. Sulaimonov. Диффузия атомов примеси родия в кремнии для датчиков // FRANCE international conference: “Scientific approach to the modern education system" Part 10, 5th December, - Pp. -95-98.

M Karimov, Sh Makhkamov, NA Tursunov, Sh A Makhmudov, AA Sulaimonov. “The effect of fast neytrons on the electrophysical properties of nucler-doped p-silicon” // Russian Physics Journal 2011/10. vol 54. Pp589-593.