ВЛИЯНИЕ АТОМОВ ТЕЛЛУРА НА СТРУКТУРУ И ЭЛЕКТРОННЫЕ СВОЙСТВА НЕЙТРОННО-ТРАНСМУТАЦИОННОГО КРЕМНИЯ
Article Sidebar
Main Article Content
Abstract
В настоящее время для получения термо- и фоторезисторов широко используется компенсированный кремний легированный различными примесями, создающими глубокие энергетические уровни в запрещенной зоне
Article Details
References
А.Н. Марченко. Управляемые полупроводниковые резисторы. М. Энергия, 1978 г., 216 с.
Sh.A. Makhkamov, M.Yu. Tashmetov, Sh.A. Makhmudov, A.K. Rafikov, A.A. Sulaimonov. Диффузия атомов примеси родия в кремнии для датчиков // FRANCE international conference: “Scientific approach to the modern education system" Part 10, 5th December, y 2022- Pp. -95-98.
Gui C., Yang De-R., Ma X. Y., Fu L.M., Fan R.X., Que D.L. / Oxygen Precipitation within Denuded Zone Founded by Rapid Thermal Processing in Czochralski Silicon Wafers // Chin. Phys. Lett. Vol. 22. № 9. 2005, pp. 2407-2410.
M. Yu. Tashmetov, Sh. A. Makhmudov, A. A. Sulaymonov, A. K. Rafikov, B. Zh. Abdurayimov. Photosensors Based on Neutron Doped Silicon // ISSN 0003-701X, Applied Solar Energy, 2019, Vol. 55, No. 1, pp. 71–73.
Sh Makhmudov, A Sulaymonov, A Rafikov, G Xudayberganova. Study of after diffusion regions in highly doped silicon // International scientific journal Science and Innovation, ISSN: 2181-3337, V-1, №6, October 9, 2022, - Pp. -402-404.
V.Bondarenko, T.von Egidy, J.Honzátko, I.Tomandl, D.Bucurescu, N.Mărginean J.Ott, W.Schauer, H.-F.Wirth, C.Doll. Nuclear structure studies of 123Te with (n,γ) and (d,p) reactions. //Nuclear Physics A, Vol. 673, Issues 1–4, 19 June 2000, P. 85-121.