ВЛИЯНИЕ ТЕХНОЛОГИИ ПОЛУЧЕНИЯ ПЛЕНОК НА ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА ХАЛЬКОГЕНИДОВ КАДМИЯ

##plugins.themes.bootstrap3.article.main##

К.Э. Онаркулов
С.О. Тожибоева
А.Б. Курбонов

Annotatsiya

Рассмотрена вольт - амперная характеристика диода
Шоттки. Показано, что с ростом прямого смещения наблюдается значительное
увеличение прямого тока, а также заметное увеличение обратного тока при
обратном смещении. Начальный участок прямой характеристики при
напряжениях до 10 В является линейным и присущ барьерам Шоттки, однако
при высоких напряжениях характеристика становится нелинейной.
Нелинейность вольт -амперной характеристики барьера Шоттки в достаточно
широком диапазоне приложенного напряжения связана с эффектом границы
зерен в поликристаллических пленках. А именно, при увеличении
приложенного напряжения до определенного значения плотность ловушечных
состояний в области границы кристаллита уменьшается, т.е. дырки начинают
заполняться, что обычно наблюдается в полупроводниках, содержащих
проводящие частицы в непроводящей матрице.

##plugins.themes.bootstrap3.article.details##

Bo‘lim
Fizika

Foydalaniladigan adabiyotlar

Клевков Ю.В., Колосов С.А., Плотников А.Ф. Транспорт носителей заряда в

отожженных крупно- и мелкозернистых поликристаллах CdTe.// ФТП, 2006, N9(40).- с.1028-

Клевков Ю.В., Колосов С.А., Плотников А.Ф. Электрофизические свойства

нелегированных высокоомных поликристаллов n-CdTe.// ФТП, 2007, N6(41).- с.670-673.

Naymonboyev R, Onarqulov K.Е., Yuldashev A.А., Yuldashev Sh.А., Yuldasheva Sh.A.

Preparation of photo elements from chalcogenide thin curtains. ELECTRONIC JOURNAL OF

ACTUAL PROBLEMS OF MODERN SCIENCE, EDUCATION AND TRAINING. JULY, 2021-

/2.

Атакулов Ш.Б., Онаркулов К.Э. О перколяционной проводимости

фоточувствительных химически осажденных слоев сернистого свинца. ФТП.1985.Т.19.В.7.

Султонов Н., Акобирова А.Т., Хамрокулов Р.Б., Наимов У.Р. Определение высоты

барьера Шоттки на контакте металл — пленка СdТe // Наука и инновация. 2014.

№ 1. С. 65–69.