МЕТОДЫ ИССЛЕДОВАНИЯ ЭЛЕКТРОННЫХ ПОВЕРХНОСТНЫХ СОСТОЯНИЙ В ПОЛИКРИСТАЛЛИЧЕСКИХ ПЛЕНКАХ И ИХ ВЛИЯНИЕ НА СВОЙСТВА ПОЛУПРОВОДНИКОВ
##plugins.themes.bootstrap3.article.main##
Annotatsiya
Данная статья представляет обзор современного состояния
проблемы изучения эффективной плотности электронных поверхностных
состояний (ПС) в поликристаллических пленках полупроводников. Введение в
тему включает обсуждение идеальной поверхности кристалла, дефектов
структуры и их связи с локальными поверхностными состояниями.
Показывается, что реальные поверхности полупроводников имеют существенно
меньшую плотность поверхностных состояний, а их заряд может изменяться
под воздействием внешних факторов. Статья также обсуждает роль
поверхностных состояний в электронных процессах и их влияние на свойства
полупроводниковых материалов. В частности, рассматривается эффект захвата примесей на межзеренных границах, что может привести к уникальным
свойствам пленок. Однако, существующие методы изучения имеют недостатки,
включая изменение чувствительности с изменением концентрации примесей
или физических полей.
Для решения этих проблем предлагается новый метод изучения
эффективной плотности электронных поверхностных состояний, который
может быть полезен для получения более точных данных о свойствах
поликристаллических пленок полупроводников.
##plugins.themes.bootstrap3.article.details##
Foydalaniladigan adabiyotlar
Полупроводниковые термоэлектрические материалы на основе Bi2Te3. Б.М. Гольцман,
В.А. Кудинов, И.А. Смирнов, М.: Наука, 1972.
Шамирзаев, С. Х., Юсупова, Д. А., Мухамедиев, Э. Д., & Онаркулов, К. Э. (2006).
Определение эффективной плотности электронных поверхностных состояний в
нанокристаллических пленках Bi₂Te₃–Sb₂Te₃. Физическая инженерия поверхности.
Юсупова, Д. А. (2019). Исследование влияния деформации на изменения концентрации
поверхностных состояний, уровня Ферми и заряда поверхности раздела
нанокристаллических пленок теллуридов висмута и сурьмы. Проблемы современной
науки и образования, (12-2 (145)), 8-12.
Мухамедиев Э., Шамирзаев С., Онаркулов К., Юсупова Д., Смирнов В.
Технологические установки для получения чувствительных элементов ДНУП на основе
(BiSb)2-xTe3+x. // Международная конференция, посвященная 90-летию академика
С.А.Азимова «Фундаментальные и прикладные вопросы физики» : -Тоshкент, 18-19
ноября 2004. № 3. 429 с.
Юсупова, Д. А. (2019). Исследование влияния деформации на изменения концентрации
поверхностных состояний, уровня Ферми и заряда поверхности раздела
нанокристаллических пленок теллуридов висмута и сурьмы. Проблемы современной
науки и образования, (12-2 (145)), 8-12.
Юсупова, Д. А. (2022). ИЗУЧЕНИЯ РОЛИ ЭФФЕКТИВНОЙ ПЛОТНОСТИ
ЭЛЕКТРОННЫХ ПОВЕРХНОСТНЫХ СОСТОЯНИЙ В НАНОКРИСТАЛЛИЧЕСКИХ
ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПЛЕНКАХ ПРИ НАЛОЖЕНИИ ЦИКЛИЧЕСКОЙ
ДЕФОРМАЦИИ. Involta Scientific Journal, 1(6), 416-424.
Yusupova, D. A., & Tadjiboyeva, X. B. Q. (2021). KO’P KOMPONENTLI
BIRIKMALARDAN YARIM O ‘TKAZGICHLI SEZGIR ELEMENTLARNI OLISH
METODIKASI. Scientific progress, 2(1), 247-251.
Юсупова, Д. А. (2018). Изучение электрофизических свойств нанокристаллических
пленок BI2TE3-SB2TE3. Интеграция наук, (4), 52-54.
Юсупова, Д. А. (2022). ИЗУЧЕНИЯ РОЛИ ЭФФЕКТИВНОЙ ПЛОТНОСТИ
ЭЛЕКТРОННЫХ ПОВЕРХНОСТНЫХ СОСТОЯНИЙ В НАНОКРИСТАЛЛИЧЕСКИХ
ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПЛЕНКАХ ПРИ НАЛОЖЕНИИ ЦИКЛИЧЕСКОЙ
ДЕФОРМАЦИИ. Involta Scientific Journal, 1(6), 416-424.
Шамирзаев, С. Х., Онаркулов, К. Э., Юсупова, Д. А., & Мухамедиев, Э. Д. (2006).
Простые модели усталостной повреждаемости гетерогенных материалов с очень сложной
динамикой. Фізична інженерія поверхні, (4,№ 1-2), 91-96.
Юсупова, Д. А., & Фозилова, М. Д. Қ. (2021). ОСНОВНЫЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ И
ОСОБЕННОСТИ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПЛЕНОЧНЫХ ТЕНЗОРЕЗИСТИВНЫХ
ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЕЙ. Scientific progress, 2(1), 441-447.
Карабаев, М. К., Онаркулов, К. Э., Ахмедов, М. М., & Юсупова, Д. А. Обоснован способ
использования полупроводникового пленочного элемента как индикатора усталостных
повреждений. Описаны методы его изготовления. Описаны методы его изготовления.