KOMPYUTER-MATEMATIK MODELLARDAN FOYDALANGAN HOLDA YARIMO’TKAZGICHLI DETEKTORLARNING TEXNOLOGIK JARAYONLARI NATIJALARINI TAHLIL QILISH

##plugins.themes.bootstrap3.article.main##

Muminov Ramizulla Abdullayevich
Sayimbetov Axmet Quvanchbekovich
Toshmurodov Yorqin Qaxramonovich
Ergashev Giyos Jurayevich

Annotatsiya

Ushbu maqolada elektron texnologiyalarda yarimo'tkazgichli detektorlar, xususan, katta o'lchamli yadroviy nurlanishli koordinata sezuvchan detektorlar (YAO’KSD) haqida ma'lumotlar beradi. Yarimo'tkazgichli detektorlar, atom energetikasi, moddalar ishlab chiqarish, ilmiy tadqiqotlar, tibbiyot, va qishloq xo'jaligi texnologiyalari, atrof-muhitni muhofaza qilish, va boshqa sohalar uchun keng qo'llaniladi.

##plugins.themes.bootstrap3.article.details##

Bo‘lim
Fizika

Foydalaniladigan adabiyotlar

R.A. Muminov, A.K. Saymbetov, Yo. K. Toshmurodov, G.J. Ergashev, M.Ya. Yavkochdiyev Analysis of the electrophysical dimensions of semiconductor detektor with the help of a computerno-mathematical model // International Journal of Advanced Research in Science, Engineering and Technology – 2020 Vol. 7, Issue 9 , рр. 14956-14959.

К.А. Зубченко Приборно-технологическое моделирование как метод исследованиya полупроводниковых структур Молодой учёный Международный научный журнал-2017 г. № 28 (162). Стр. 39-40.

И.М. Прохорец Математические модели длya анализа статических характеристик многоэлементнқх полупроводниковых детекторов журнал «Радиоэлектроника. Информатика. Управления» 2008 г. № 1(19), стр. 27-32.

Тошмуродов Ё.К., Г.Ж. Эргашев, Сайфуллоев Ш.А. Компьютерно-математическое моделирование электрофизических характеристик полупроводниковых координатно-чувствительных детекторов ядерного излучения // ISSN 0236-3933. Вестник МГТУ им. Н.Э. Баумана. Сер. Приборостроение. 2018. № 1. Стр. 16-20.

R.A. Muminov, G.J. Ergashev, A.K. Saymbetov, Yo.K. Toshmurodov, S.A. Radzhapov, A.A. Mansurova, N.M. Japashov, Y.A. Svanbayev Application of Additional Leveling Drift Process to Improve the Electrophysical Parameters of Large Sized Si (Li) p-i-n Structures // Journal of Nano- and Electronic Physics 2020 Vol. 12 No 1, pp 01006-1-01006-5.