Особенности гетероструктурных солнечных элементов на основе por-Si/c-Si/a-Si:H.
##plugins.themes.bootstrap3.article.sidebar##
##plugins.themes.bootstrap3.article.main##
Annotatsiya
Исследовано влияние поверхностной рекомбинация на фотоэлектрических характеристики гетероструктурных солнечных элементов на основе por-Si/c-Si Получены аналитические зависимости для определение коэффициента скорости поверхностной рекомбинации и предложно гетероструктуры типе por-Si/p-c-Si/a-Si:H для исследование поверхностный рекомбинации между слоями por-Si и p-c-Si.
##plugins.themes.bootstrap3.article.details##
Foydalaniladigan adabiyotlar
В. П. Афанасьев, А. С. Гудовских. Солнечные элементы на основе гетероструктуры аморфный/монокристаллический кремний. Физические явления в твердых телах, жидкостях и газах. Известия СПбГЭТУ «ЛЭТИ» №4/2017.
Development status of high-efficiency HIT solar cells / T. Mishima, M. Taguchi, H. Sakata, E. Maruyama // Sol Energy Materials & Solar Cells. 2011. Vol. 95. P. 18–21.
Obtaining a higher Voc in HIT cells/ M.Taguchi, A.Terakawa, E.Maruyama, M.Tanaka// Prog. Photovolt: Res. Appl.2005. Vol. 13. P.481–488.
К.Зеегер. Физика полупроводников. Издетельство «мир» Москва 1977.
V.V. Tregulov, V.A. Stepanov, N.N. Melnik. Properties of the semiconductor structure with a p–n-junction created in a porous silicob film under laser radiation. Научно-технические ведомости СПбГПУ. Физико-математические науки. 11(1) 2018
В.В. Трегулов, В.А. Степанов, В.Г. Литвинов, А.В. Ермачихин. Особенности механизмов токопрохождения в полупроводниковой структуре фотоэлектрического преобразователя с n+−p-переходом и антиотражающей пленкой пористого кремния. Журнал технической физики, 2016, том 86, вып.11