ОПТИЧЕСКИЕ ПАРАМЕТРА ПЛЕНКИ CaF2/Si, ИМПЛАНТИРОВАННОГО ИОНАМИ БАРИЯ
##plugins.themes.bootstrap3.article.sidebar##
##plugins.themes.bootstrap3.article.main##
Annotatsiya
В данной работе исследуются пленки CaF2 и их потенциал для создания приборов в области твердотельной электроники, включая интегральные схемы (БИС) и ультрабыстрые интегральные схемы (УБИС). Работа представляет некоторые важные характеристики этих пленок. Рост монокристаллических пленок CaF2 на подложке Si (100) начинается с механизма Странского-Крастанова и затем переходит к механизму Франка-Ван-дер-Мерве. Исследования показывают, что поверхность пленок CaF2 (100) становится кристаллической (1х1) после высокотемпературного прогрева. Дополнительно, исследованы инородные примеси в приповерхностной области пленок CaF2, включая кислород и углерод, а также небольшое количество атомов S и N. Оптимальная температура обезгаживания пленок СаF2 составляет 1000-1050 K, что приводит к уменьшению концентрации кислорода.
##plugins.themes.bootstrap3.article.details##
Foydalaniladigan adabiyotlar
Harrison T.R. et. al. // Appl. Phys. Lett. 1982. - V. 41 (11). - Р. 1102-1104.
Озеров А.Г., Алтухов А.А., Иванов В.В., Митягин А.Ю. // Специальная техника средств связи. Сер. Технология производства и оборудование. - 1988. - Вып.1. - С. 115-119.
Умирзаков Б.Е., Нормурадов М.Т., Раббимов Э.А., Ташатов А.К. // Поверхность. – Москва, 1992. - №2. - С. 47-53.
Ташатов А.К., Умирзаков Б.Е., Алтухов А.А., Раббимов Э.А. // Материалы IX Всесоюз. конф. «Взаимодействие ионов с поверхностью». - Москва, 1991. - С. 85-87.
Ташатов А.К., Умирзаков Б.Е., Усманов М., Нормурадов М.Т. // Матер. ХП- Международ. конф. «Взаимодействие ионов с поверхностью». – Москва, 1995. - Т.2, - С. 46-48.
Umirzakov B.E., Pugacheva T.S., Tashmuhamedova D., Tashatov A.K. // IВА-14 (Ion Beam Anal.). – Germany, 1999. - Р. 138.
Умирзаков Б.Е., Ташатов А.К., Ташмухамедова Д., Нормурадов М.Т. // Поверхность. – Москва, 2004. - №12. - С. 90-94.