ОПТОЭЛЕКТРОННОЕ УСТРОЙСТВА ВЛАЖНОСТИ НА ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ИЗЛУЧАТЕЛЯХ

Основное содержимое статьи

Кулдашов О.Х.
Азамова М.А.

Аннотация

Усовершенствована технология изготовления высокоэффективных двухволновых светодиодов на основе GaInAsSb (1,94 мкм и 2,2 мкм) и разработана её конструкция, состоящий из параболического рефлектора, смонтированного в едином корпусе с термохолодильником для обеспечения стабильности и одинаковых условий работы двух светодиодных каналов в диапазоне температур - 400С + 80 0С, с точностью 0,8 – 1С.

Информация о статье

Как цитировать
Кулдашов О.Х., & Азамова М.А. (2023). ОПТОЭЛЕКТРОННОЕ УСТРОЙСТВА ВЛАЖНОСТИ НА ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ИЗЛУЧАТЕЛЯХ. Конференция Ферганского государственного университета, 67. извлечено от https://conf.fdu.uz/index.php/conf/article/view/2501
Раздел
Физика

Библиографические ссылки

Филачёв А.М., Таубкин И.И., Тришенков М.А. Достижения твёрдотельной фотоэлектроники ( обзор ) // Успехи прикладной физики. 2015. №2.с.162-164.

Михайлова М.П., Моисеев К.Д., Яковлев Ю.П. Открытие полупроводников AIIIBV: физические свойства и применение // Физика и техника полупроводников. 2019. вып.53.Том 3.С.291-302.

Романов В.В., Иванов Э.В., Моисеев К.Д. Узкозонные гетероструктуры InAs1-xSbx/InAsSbP (x = 0.07-0.14) для спектрального диапазона 4-5 мкм, полученные методом МОГФЭ. // Тезисы докладов XIV Российской конференции по физике полупроводников «полупроводники-2019». 2019.doi: 10.34077/semicond2019-451.

Kuldashov O.Kh., Kuldashov G.O., Mamasodikova Z.Y. Infrared sensor for remote monitoring of moisture content in raw cotton // J. Opt. Technol. – 2019. № 6. – P. 77 – 80