ИССЛЕДОВАНИЕ ФИЗИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА КОНТАКТА ПОЛУПРОВОДНИК – ПЛАЗМА ГАЗОВОГО РАЗРЯДА
Боковая панель статьи
Основное содержимое статьи
Аннотация
в настоящей работе были исследованы физические свойства на контакте полупроводника из монокристаллического теллурид кадмия с плазмой газового разряда. Показано, что носители заряда в плазме наряду с падающим инфракрасным излучением способствует усиление фототока в газоразрядной ячейке. При достаточно больших напряжениях (больше, чем 2.5 kV) в газоразрядной ячейке наблюдается положительная обратная связь связанное с воздействием плазмы на поверхность полупроводника
Информация о статье
Библиографические ссылки
Туланов В.Т., Сиябеков Х.Б., Давлетова А.Ш., Ортаева К.А. Полупроводниковый преобразователь инфракрасных изображений ионизационного типа на основе Si с чувствительностью в спектральном диапазоне излучения СО2-лазеров. // ФТП, 2001, т. 35, в. 8, с. 1009-1012.
Salamov B.G. and Mammadov T.S. Study of light emission amplification in a semiconductor gas discharge system // Journal Applied Physics. – America, 2007. Vol 40. – pp. 6657–6668.
Лодыгин А.Н., Порцель Л.М., Астров Ю.А. Газовый разряд в аргоне и азоте при криогенной температуре в тонких зазорах. // Письма ЖТФ, 2008, т. 34, в. 14, с. 61-67.
Орбух В.И., Лебедева Н.Н., Саламов Б.Г. Влияние поверхностной проводимости полупроводникового электрода на распределение газоразрядного тока. // ФТП, 2009, т. 43, в. 10, с. 1329-1332.
Gurevich E.L., Kittel S., Hergenroder R., Astrov Yu.A., Portsel L.M., Lodygin A.N., Tolmachev V.A. and Ankudinov A.V. Modification of GaAs surface by low-current Townsend discharge // Journal Applied Physics. – America 2010. No.9, vol 43. - pp. 27-32.
Лодыгин А.Н., Астров Ю.А., Порцель Л.М., Берегулин Е.В. Динамика таунсендовского разряда в аргоне. // ЖТФ, 2015, т. 85, в. 5, с. 27-31.
Далиев Х.С., Хайдаров З., Йулдашев Х.Т., Юлдашев Н.Х. Неравновесные процессы на контакте полупроводник – плазма газового разряда. Физики полупроводников и микроэлектроники, Ташкент, 2019, т. 1, в. 4, С. 22-29