ТЕПЛОВЫЕ СВОЙСТВА GaAs/AlGaAs ГЕТЕРОФОТОПРЕОБРАЗОВАТЕЛЕЙ ПРИ ВОЗДЕЙСТВИИ КОНЦЕНТРИРОВАННОГО СОЛНЕЧНОГО ПОТОКА
Боковая панель статьи
Основное содержимое статьи
Аннотация
Изучены свойства GaAs/AlGaAs фотопробразовательных гетероструктур, полученных методом жидкофазной эпитаксии на монокристаллическую подложку GaР, сориентированный по <100>. Исследованы фотопреобразователи, способные работать с концентраторами светового потока, перспективные для снижения получаемой электроэнергии, благодаря уменьшению ее стоимости пропорционально кратности концентрации падающего светового потока. Выявлено, что на основе гетероструктур с подложкой GaР можно создать фотопреобразователи, работающие в режиме без охлаждения до Кс =100.
Информация о статье
Библиографические ссылки
Juso H., Yoshida A., Agui T. et all.: Investigation of Current Matching on Triple Junction Cell for Concentrator Application // Proc. of the 15th PVSEC Shanghai, China – 2005. -P.377-378.
Rumyantsev V.D., Hein M., Andreev V.M., Bett A.W. et all. Concentrator fray based on GaAs cells and Fresnel lens Concentrators // Proc. of the 16th EPSEC (Glaagow, GB, 2000). –P.2312-2315.
Shvarts M.Z., Gudovskikh A.S., Kaluzhniy N.A. et all. High intensive low temperature (HILT) performance of space concentrator GaInP/ GaAs/Ge MJ SCs // Proceedings of the 10 th International Conference on Concentrating Photovoltaics, USA, 2014. V.61. -P.29-32.
Steiner M., Philipps S.P., Hermle M., Bett A.W. and Dimroth F. Validated front contact grid simulation for GaAs solarcells under concentrated sunlight // Prog. Photovolt: Res. Appl. 2011. V. 19(1). –P.73-83.