ПРИРОДА ПИКОСЕКУНДНОЙ ФОТОПРОВОДИМОСТИ В ТОНКИХ СЛОЯХ p - CdTe - SiO2 - Si.

Боковая панель статьи

pdf
Опубликован: нояб. 11, 2023
Ключевые слова:
пикосекундного фотонапряжения, пикосекундная фотопроводимость, центры рекомбинации, быстродействующий фотодетектор.

Основное содержимое статьи

Н.Э. Алимов
С.М. Отажонов

Аннотация

В данной работе рассмотрена пикосекундное фотонапряжение тонких слоев p - CdTe - SiO2 - Si. Установлена что время релаксации пикосекундного фотонапряжения равна  t = 10-10с, что указывает о наличии большого количества активных центров захвата в тонких пленках  CdTe. При этом определено поверхностная концентрация центров рекомбинации которое равна   3 × 1011см –2.

Информация о статье

Как цитировать
Н.Э. Алимов, & С.М. Отажонов. (2023). ПРИРОДА ПИКОСЕКУНДНОЙ ФОТОПРОВОДИМОСТИ В ТОНКИХ СЛОЯХ p - CdTe - SiO2 - Si. Конференция Ферганского государственного университета, 260–261. извлечено от https://conf.fdu.uz/index.php/conf/article/view/2364
Выпуск
2023: Тенденции развития физики конденсированных сред
Раздел
Физика

Библиографические ссылки

Отажонов С.М., Алимов Н.Э., Ботиров К.А. Оптическая спектральная память в пленочной ультракристаллической гетероструктуре p-CdTe-SiO2-Si//Научно-Технический журнал ФерПИ. 2018. Том 22. №2. С.113-116

Тришенков, М. А. Твердотельная фотоэлектроника: сегодня и завтра/ М. А. Тришенков, И. И. Таубкин, А. М. Филачёв // Электронная техника. Серия 2. Полупроводниковые приборы. – 2010. - В. 1(224) - С. 31-45

Otajonov S.M., Alimov N.E., Movlonov P.I., Botirov K.A. CdTe-SiO2-Si heterostructure photosensitivity control with deep impurity levels under external factors.// Euroasion Journal of Semiconductors Science and Engineering. 2020.-p.22-25.