ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИЕ ПАРАМЕТРЫ КРЕМНИЯ ЛЕГИРОВАННОГО ПРИМЕСНЫМИ АТОМАМИ ГЕРМАНИЯ

Боковая панель статьи

PDF
Опубликован: Nov 3, 2023
Ключевые слова:
кремний, германий, примесь, спин, магнитосопротивление, бинарное соединение, диффузия

Основное содержимое статьи

Н.Ф. Зикриллаев
К.С.Аюпов
Н.Наркулов
Ф.Э.Уракова
Г.А. Кушиев
О.С. Неъматов
Т.Э.Рашидов

Аннотация

Результаты исследования электрофизических и магнитных свойств образцов кремния диффузионно легированного примесными атомами германия показали, что примесные атомы германия в кремнии образуют бинарные соединения типа GexSi1-x, концентрация которых меняется по глубине исходного кремния. Определены оптимальные электрофизические параметры и магнитные свойства полученных образцов кремния, которые позволили показать возможности создания на их основе новые виды датчиков и приборов в полупроводниковой электронике. Эти исследования позволяют развивать направление в области материаловедения с магнитными свойствами и создавать эффективные фотоэлементы в фотоэнергетике.

Информация о статье

Как цитировать
Н.Ф. Зикриллаев, К.С.Аюпов, Н.Наркулов, Ф.Э.Уракова, Г.А. Кушиев, О.С. Неъматов, & Т.Э.Рашидов. (2023). ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИЕ ПАРАМЕТРЫ КРЕМНИЯ ЛЕГИРОВАННОГО ПРИМЕСНЫМИ АТОМАМИ ГЕРМАНИЯ. Конференция Ферганского государственного университета, 13. извлечено от https://conf.fdu.uz/index.php/conf/article/view/2314
Выпуск
2023: Тенденции развития физики конденсированных сред
Раздел
Физика

Библиографические ссылки

Parkhomenko, Yu.N., Belogorokhov, A.I., Gerasimenko, N.N., Irzhak, A.V., Lisachenko, M.G. Properties of self-organized SiGe nanostructures formed by ion implantation. Semiconductors. 2004, 38(5), p. 572. https://doi.org/10.1134/1.1755894.

Bakhadyrkhanov, M.K., Isamov, S.B., Zikrillaev, N.F. Current - voltage behavior of silicon containing nanoclusters of manganese atoms. Inorganic Mater. 2014, 50 (4), p. 325. https://doi.org/10.1134/S0020168514040025