ДОЛГОВРЕМЕННАЯ РЕЛАКСАЦИЯ ФОТОЭЛЕКТРЕТНОГО СОСТОЯНИЯ ФОТОВОЛЬТАИЧЕСКИХ ПЛЕНОК CdTe:(Ag, Cu, Cd) И Sb2Se3:Se

Боковая панель статьи

PDF
Опубликован: Nov 3, 2023
Ключевые слова:
тонкие легированные пленки, аномальное фотонапряжение, фотоэлектретное состояние, долговременная релаксация

Основное содержимое статьи

Нурматов О.Р
Рахимжонов Ж.С
Толабоев Д.Х
Турсунов И.М
Юлдашев Н.Х

Аннотация

Приводятся результаты экспериментальных исследований долговременной релаксации фотоэлектретного состояния (ФЭС) в  пленках CdTe:(Ag, Cu, Cd) и Sb2Se3:Se. Показано, что   в активированных пленках ФЭС обусловлено с глубокими примесными уровнями  или комплексами, в которых входит примесные атомы и собственные дефекты.

Информация о статье

Как цитировать
Нурматов О.Р, Рахимжонов Ж.С, Толабоев Д.Х, Турсунов И.М, & Юлдашев Н.Х. (2023). ДОЛГОВРЕМЕННАЯ РЕЛАКСАЦИЯ ФОТОЭЛЕКТРЕТНОГО СОСТОЯНИЯ ФОТОВОЛЬТАИЧЕСКИХ ПЛЕНОК CdTe:(Ag, Cu, Cd) И Sb2Se3:Se. Конференция Ферганского государственного университета, 47. извлечено от https://conf.fdu.uz/index.php/conf/article/view/2297
Выпуск
2023: Тенденции развития физики конденсированных сред
Раздел
Физика

Библиографические ссылки

Адирович Э.И., Мастов Э.М., Мирзамахмудов Т., Найманбоев Р., Рубинов., Шакиров Н., Юабов В.М. В сб.: «Фотоэлектрические явления и оптоэлектроника». Изд. «Фан» , Ташкент, 1972. с.143.

Эргашев Ж., Юлдашев Н.Х. Фотоэлектретный эффект в полупроводниковых пленочных структурах. Монография.. «Техника», Фергана-2017, 180 с.

Нурматов, О. Р., Абдуллаев, Ш. Ш., & Юлдашев, Н. Х. (2021). Временная релаксация фотоэлектретного состояния в фотовольтаических пленках cdte: ag, cd, cu и sb2se3: se. Central Asian Journal of Theoretical and Applied Science, 2(12), 315-322.

Юлдашев, Н. Х., Ахмаджонов, М. Ф., Мирзаев, В. Т., & Нурматов, О. Р. У. (2019). Фотоэлектретные пленки CdTe: Ag и Sb2Se3 при собственном и примесном поглощении света shape* MERGEFORMAT. Евразийский Союз Ученых, (3-4 (60)), 72-78.