ПРИРОДА ПИКОСЕКУНДНОЙ ФОТОПРОВОДИМОСТИ В ТОНКИХ СЛОЯХ p - CdTe - SiO2 - Si.

Article Sidebar

pdf (Русский)
Published: Nov 11, 2023
Keywords:
пикосекундного фотонапряжения, пикосекундная фотопроводимость, центры рекомбинации, быстродействующий фотодетектор.

Main Article Content

Н.Э. Алимов
С.М. Отажонов

Abstract

В данной работе рассмотрена пикосекундное фотонапряжение тонких слоев p - CdTe - SiO2 - Si. Установлена что время релаксации пикосекундного фотонапряжения равна  t = 10-10с, что указывает о наличии большого количества активных центров захвата в тонких пленках  CdTe. При этом определено поверхностная концентрация центров рекомбинации которое равна   3 × 1011см –2.

Article Details

How to Cite
Н.Э. Алимов, & С.М. Отажонов. (2023). ПРИРОДА ПИКОСЕКУНДНОЙ ФОТОПРОВОДИМОСТИ В ТОНКИХ СЛОЯХ p - CdTe - SiO2 - Si. Fergana State University Conference, 260–261. Retrieved from https://conf.fdu.uz/index.php/conf/article/view/2364
Issue
2023: Development trends in condensed matter physics
Section
Physic

References

Отажонов С.М., Алимов Н.Э., Ботиров К.А. Оптическая спектральная память в пленочной ультракристаллической гетероструктуре p-CdTe-SiO2-Si//Научно-Технический журнал ФерПИ. 2018. Том 22. №2. С.113-116

Тришенков, М. А. Твердотельная фотоэлектроника: сегодня и завтра/ М. А. Тришенков, И. И. Таубкин, А. М. Филачёв // Электронная техника. Серия 2. Полупроводниковые приборы. – 2010. - В. 1(224) - С. 31-45

Otajonov S.M., Alimov N.E., Movlonov P.I., Botirov K.A. CdTe-SiO2-Si heterostructure photosensitivity control with deep impurity levels under external factors.// Euroasion Journal of Semiconductors Science and Engineering. 2020.-p.22-25.