ВЫРАЩИВАНИЕЭПИТАКСИАЛЬНОГОСЛОЯТВЕРДОГОРАСТВОРА (GaAs)1-x(ZnSe)xИЗОЛОВЯННОГОРАСТВОРА-РАСПЛАВА

Article Sidebar

PDF (Русский)
Published: Nov 11, 2023
Keywords:
Ключевые слова:раствор-расплав, подложка, облучения, структура,эпитакция, контакт, выращивания.

Main Article Content

Гаимназаров К.Г. 2Усманов Ш. Н.

Abstract

Аннотация: методом жидкофазной эпитаксии из оловянного раствора-расплава выращены слои твердых растворов (GaAs)1-x(ZnSe)x молекулярного замещения на GaAs (100) подложках. Показано, что бинарные соединения арсенид галлия и селенид цинка в оловянном растворителе при температурах 600-750°С - ниже температуры плавления соответствующих материалов находятся в основном в виде молекул GaAs и ZnSe.

Article Details

How to Cite
Гаимназаров К.Г. 2Усманов Ш. Н. (2023). ВЫРАЩИВАНИЕЭПИТАКСИАЛЬНОГОСЛОЯТВЕРДОГОРАСТВОРА (GaAs)1-x(ZnSe)xИЗОЛОВЯННОГОРАСТВОРА-РАСПЛАВА. Fergana State University Conference, 262–264. Retrieved from https://conf.fdu.uz/index.php/conf/article/view/2451
Issue
2023: Development trends in condensed matter physics
Section
Physic

References

С. П. Супрун, В. Н. Шерстякова, Е. В. Федосенко. Эпитаксия ZnSe на GaAs при использовании в качестве источника соединения ZnSe. Физика и техника полупроводников, 2009, том 43, вып. 11, С.1570-1575.

Ю. Н. Бобренко, С. Ю. Павелец, А. М. Павелец, Н. В. Ярошенко. Фотоэлектрические преобразователи с варизонными слоями на основе ZnSe. Физика и техника полупроводников, 2013, том 47, вып. 10, С.1381-1384.

H.H. Farrella and Randall A. LaViolette. Cation variations at semiconductor interfaces: ZnSe(001)/GaAs(001) superlattices. Journal of Vacuum Science & Technology B, 2004, Vol. 22. No. 4, рр. 2250-2256.

Wang L.G. and Alex Zunger Dilute. Nonisovalent (II-VI)-(III-V) Semiconductor Alloys: Monodoping, Codoping, and Cluster Doping in ZnSe-GaAs. Physical Review B. 2003. Vol. 68, pp. 125211.1-125211.8.

A. S. Saidov, A. Sh. Razzakov, V. A. Risaeva, and E. A. Koschanov, Liquid-phase epitaxy of solid solutions (Ge2)1-x(ZnSe)x. Mater. Chem. Phys. 68, 3 (2001).

Vikram Kumar; International Workshop on the Physics of Semiconductor Devices (December 14-18, 1999, Delhi) 2. pp. 1425. Mumbai: Allied Publ., (2000) Proceedings of SPIE, 3795,