ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИЕ ПАРАМЕТРЫ КРЕМНИЯ ЛЕГИРОВАННОГО ПРИМЕСНЫМИ АТОМАМИ ГЕРМАНИЯ
Main Article Content
Abstract
Результаты исследования электрофизических и магнитных свойств образцов кремния диффузионно легированного примесными атомами германия показали, что примесные атомы германия в кремнии образуют бинарные соединения типа GexSi1-x, концентрация которых меняется по глубине исходного кремния. Определены оптимальные электрофизические параметры и магнитные свойства полученных образцов кремния, которые позволили показать возможности создания на их основе новые виды датчиков и приборов в полупроводниковой электронике. Эти исследования позволяют развивать направление в области материаловедения с магнитными свойствами и создавать эффективные фотоэлементы в фотоэнергетике.
Article Details
References
Parkhomenko, Yu.N., Belogorokhov, A.I., Gerasimenko, N.N., Irzhak, A.V., Lisachenko, M.G. Properties of self-organized SiGe nanostructures formed by ion implantation. Semiconductors. 2004, 38(5), p. 572. https://doi.org/10.1134/1.1755894.
Bakhadyrkhanov, M.K., Isamov, S.B., Zikrillaev, N.F. Current - voltage behavior of silicon containing nanoclusters of manganese atoms. Inorganic Mater. 2014, 50 (4), p. 325. https://doi.org/10.1134/S0020168514040025