ПРОЦЕССЫ ОПТИЧЕСКОЙ ГЕНЕРАЦИИ В ТОНКОЙ ГАЗОРАЗРЯДНОЙ ЯЧЕЙКЕ
Main Article Content
Abstract
в настоящей работе были исследованы физические свойства на контакте полупроводника из монокристаллического теллурид кадмия с плазмой газового разряда. Показано, что носители заряда в плазме наряду с падающим инфракрасным излучением способствует усиление фототока в газоразрядной ячейке. При достаточно больших напряжениях (больше, чем 2.5 kV) в газоразрядной ячейке наблюдается положительная обратная связь связанное с воздействием плазмы на поверхность полупроводника.
Article Details
References
Gurevich E.L., Kittel S., Hergenroder R., Astrov Yu.A., Portsel L.M., Lodygin A.N., Tolmachev V.A. and Ankudinov A.V. Modification of GaAs surface by low-current Townsend discharge // Journal Applied Physics. – America 2010. No.9, vol 43. - pp. 27-32.
Лодыгин А.Н., Астров Ю.А., Порцель Л.М., Берегулин Е.В. Динамика таунсендовского разряда в аргоне. // ЖТФ, 2015, т. 85, в. 5, с. 27-31.
Хайдаров З., Йулдашев Х.Т. Новый фотографический эффект в сверхтонкой газоразрядной ячейке с полупроводниковым электродом. // Прикладная физика. 2016. №5. С.75-80.
Хайдаров З., Йулдашев Х.Т., Хайдарова К.З. Высокочувствительная полупроводниковая ионизационная фотографическая камера для инфракрасного диапазона. // Прикладная физика. 2017. №1. С.65-68.
Йулдашев Х.Т., Хайдаров З., Касымов Ш.С. Кинетика пробоя в системе «Полупроводник – газоразрядной промежуток» // Вестник Санкт-Петербургского университета. Серия 4. Физика. Химия 2017, Т4, №1, ст. 16-22.
Хайдаров З., Юлдашев Х.Т., Хайдаров Б.З., Урмонов С. Фотоэлектрические явления в сверхтонком (3–20 мкм) зазоре газового разряда с полупроводниковым электродом // Физическая инженерия поверхности, 2015, №2, ст.136-140.
Хайдаров З. Положительный фотографический эффект в чрезмерно тонкой газоразрядной ячейке с полупроводниковым электродом // Узбекский физический журнал, 2012, V.14, № 1, ст. 46-49. (01.00.00, №91).
Хайдаров З. Исследование сверхтонкой газоразрядной ячейки с полупроводниковым электродом из кремния, легированного платиной // Физическая инженерия поверхности, 2011, т.9, № 4, ст. 385-389.
Хайдаров З. О возможности усиления фототока плазмы газового разряда в преобразователях изображений ионизационного типа // Физическая инженерия поверхности, 2010, т.8. № 3. ст. 214-221.
Хайдаров З. Особенности автоэлектронной эмиссии в сверхтонком зазоре газоразрядной ячейки в полупроводниковой ионизационной камере // Физическая инженерия поверхности, 2006, т.3. № 1-2. ст. 207-209.
Paritskii L.G., Khaydarov Z., Mukhamadiev O, Dadabaev О. Spatial stabilization of the current in a semiconductor-gas discharge system // Semiconductors, American Institute of Physics 27 (11-12)1994, pp. 1104-1108.
Парицкий Л.Г., Хайдаров З. Особенности контакта полупроводник-газовый разряд при малых межэлектродных расстояниях // Физика и техника полупроводников, 1993, Т.27, В.11/12, С. 2017-2020.