ОБРАЗОВАНИЕ СКОПЛЕНИЙ В РЕШЕТКЕ ПОЛИКРИСТАЛЛИЧЕСКОГО КРЕМНИЯ
Article Sidebar
Main Article Content
Abstract
Поликристаллический кремний (poly-Si) стал перспективным материалом для различных электронных и фотоэлектрических применений
Article Details
References
Олимов Л.О. Влияние межзеренных границ на перенос носителей заряда в поликристаллическом кремнии // Узбекский физический журнал, 2005. № 3, -С. 231-233.
Исмайлов Б. К. Миграция и геттерирующие свойства кластеров атомов никеля в решетке кремния // диссертация на соискание ученой степени доктора философии (PhD) по физико-математическим наукам, 2020. – 126 С.
Сапарниязова З. М. Взаимодействие кластеров атомов никеля и марганца с дефектами решетки кремния // автореферат диссертации доктора философии (Phd) по физико-математическим наукам, Ташкент, 2019. – 46 С.
Кенжаев З. Т. Особенности влияния примесных атомов никеля на параметры кремниевых солнечных элементов // автореферат диссертации доктора философии (Phd) по физико-математическим наукам, Ташкент, 2022. -48 с.
Zaynabidinov S., Aliev R., Olimov L.O. High temperature features of the polycrystalline silicon physical properties // Ukr. J. Phys., 2006. Vol. 51, № 7, -pр. 699-702.
Курбанов А. О. Влияние термо- и радиационного воздействия на электрофизические и рекомбинационные свойства кремния, легированного никелем // автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук, Ташкент, 2008. -47 с.