ИССЛЕДОВАНИЕ ОСОБЕННОСТЕЙ ТОКОПРОХОЖДЕНИЯ В СИЛЬНО КОМПЕНСИРОВАННЫХ ОБРАЗЦАХ n-Si<P, Zn> С КВАНТОВЫМИ ТОЧКАМИ
Article Sidebar
Main Article Content
Abstract
Вольтамперные характеристики (ВАХ) полупроводников с глубокими уровнями (ГУ) показывают три или более характерных участков. Первый участок соответствует линейной зависимости тока от напряжения, что соответствует закону Ома. На втором участке ВАХ наблюдается степенная зависимость между током и напряжением, где степень n ≥ 1. На третьем участке ВАХ происходит резкое увеличение тока при определенных значениях напряжения, за которыми следует область с отрицательной дифференциальной проводимостью (ОДП), которая может быть типа N или S. Образцы кремния, легированные цинком, имели относительно большие удельные электрические сопротивления и концентрацию электронов, что свидетельствует о сильной компенсации проводимости.
Article Details
References
Ламперт М., Марк П. Инжекционные токи в твердых телах. М., Мир. 1973.
Бонч-Бруевич В. Л., Звягин И. П., Миронов А. Г. Доменная электрическая неустойчивость в полупроводниках. Главная редакция физико-математической литературы издательство «Наука», 1972, 416 с. С. 36-45.
Zhang J., Shklovskii B. I. Density of States and Conductivity of Granular Metal or Array of Quantum Dots// Phys. Rev. B. 2004. Volume 70. P. 115317-1-115320-13.
Герасименко Н. Н., Пархоменко Ю. Н. Кремний - материал наноэлектроники. - М.: Техносфера, 2007. – 352 с; C. 43-45.
Бахадырханов М. К., Исамов С. Б. Спектры энергетических уровней многозарядных нанокластеров атомов марганца в кремнии. // Электронная обработка материалов. 2011. №6. С. 8-11.
Бахадырханов М.К., Исамов С.Б., Зикриллаев Н.Ф., Хайдаров К. Наноразмерная варизонная структура в кремнии с многозарядными нанокластерами// Микроэлектроника. 2013. том 42. вып 6. С. 444-446.
Абдурахмонов К.П., Лебедев А.А., Крейслль Й., Утамурадова Ш.Б. Глубокие уровни в кремнии, связанные с марганцем // ФТП. 1985. Т. 19. № 2. С. 213–216.