ВЗАИМОДЕЙСТВИЯ МАРГАНЦА И КИСЛОРОДА В РЕШЕТКЕ КРЕМНИЯ ПРИ ВЫСОКИХ ТЕМПЕРАТУРАХ
Article Sidebar
Main Article Content
Abstract
Результаты показывают, что повышение температуры диффузии в диапазоне 1175÷1300˚С приводит к уменьшению концентрации электрически активных атомов марганца, так что при t=1300˚С их концентрация становится значительно ниже исходной концентрации легирующей примеси бора. Образование электронейтральных комплексов сопровождается образованием в решетке кремния новых тетраэдрических ячеек типа Si2O++ Mn--, которые лишь незначительно искажают ее периодичность, но существенно отличаются по свойствам от элементарной ячейки кремния.
Article Details
References
M.K. Bakhadirkhanov, Kh.M. Iliev, M.O. Tursunov, S.B. Isamov, S.V. Koveshnikov, M.Kh. Majitov. Electrical Properties of Silicon Doped with Manganese via High-Temperature Diffusion // Inorganic Materials. 2021. Vol. 57, No. 7, pp. 655-662.
Bakhadyrkhanov M.K., Isamov S.B., Zikrillaev N.F., Тursunov M.O. Anomalous Photoelectric Phenomena in Silicon with Nanoclusters of Manganese Atoms // Semiconductors, 2021, Vol. 55, No. 6, pp. 636–639.
Х.М.Илиев, М.О.Турсунов, С.В.Ковешников, А.С.Аллаёров. Энергии связи комплексов марганца с элементами VI группы в решетке кремния // VII Международная научно-практическая конференция «Энергетика и Энергосбережение: теория и практика» г. Кемерово, 7-9 декабря 2022. С. 227, 1-5
Ismailov K.А, Iliev X.M, Tursunov M.O, Ismaylov B.K. Formation of complexes consisting of impurity Mn atoms and group VI elements in the crystal lattice of silicon. // Semiconductor Physics, Quantum Electronics & Optoelectronics. 2021, Vol. 24, No. 3, pp. 255–260.
Бахадырханов М.К., Илиев Х.М., Исамов С.Б., Тачилин С.А., Зикриллаев Н.Ф., Ибодуллаев Ш.Н., Турсунов М.О. Особенности фотоэлектрических свойств кремния с наноклатерами атомов марганца в области =1,5...2,5 мкм // Приборы. Россия, 2019. Т.231. вып 10. 52-55.