РЕЛАКСАЦИОННЫЕ ПРОЦЕССЫ В КВАНТОВЫХ ЯМ CdZnSe/ZnSe
Article Sidebar
Main Article Content
Abstract
В данной работе изучено влияние облучения γ-квантами Со60 на оптические характеристики одиночных и нескольких сжато-напряжённых КЯ CdхZn1-хSe/ZnSe с составом х=0,2-0,4 выращенных методом молекулярно-пучковой эпитаксии. Изучались расплывание квантовых ям после облучения γ-квантами.
Article Details
References
Н.Е. Корсунская, Л.В. Борковская, Б.Р. Джумаев, Процессы деградации сине-зелёных лазерных диодов на основе соА2В6, Оптоэлектроника и полупроводниковая техника, Вып. 34, стр.29, 1999
A. Toda, K. Nakano, A. Ishibashi, Cathodoluminescence study of degradation in ZnSe-based semiconductor laser diodes, Appl. Phys.Lett,Vol. 73, N11, pp. 1523-1525, 1998.
Н.Г. Басов, Е.М. Дианов, В.И. Козловский, А.К. Крыса, А.С. Насибов, Ю.М. Попов, А.М. Прохоров, П.А. Трубенко, Е.А. Щербаков, Лазерная электронн-лучевая трубка на основе сверхрешетки ZnCdSe/ZnSe, работающая при Т=300 К, Квантовая электроника, Vol. 22, N8, pp.756-758.
Шарибаев М.Б.. Оптическое исследование релаксации деформаций и интердиффузии в квантовых ямах ZnSe/ZnCdSe, модифицированных γ-облучением «Илмий хаборнома» Андижан давлат университети, №2, стр. 102-105., 2020 г.
Шарибаев М. Определение методом фотолюминесценции протяженных дефектов в эпитаксиальных пленах ZnTe/GaAs. Журнал. Физика полупроводников и микроэлектроника. №4., стр. 214-216., 2020 г..